Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.64€ | 2.00€ |
5 - 9 | 1.56€ | 1.90€ |
10 - 24 | 1.51€ | 1.84€ |
25 - 49 | 1.48€ | 1.81€ |
50 - 99 | 1.44€ | 1.76€ |
100 - 218 | 1.28€ | 1.56€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.64€ | 2.00€ |
5 - 9 | 1.56€ | 1.90€ |
10 - 24 | 1.51€ | 1.84€ |
25 - 49 | 1.48€ | 1.81€ |
50 - 99 | 1.44€ | 1.76€ |
100 - 218 | 1.28€ | 1.56€ |
Transistor a canale P, 23A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9540N. Transistor a canale P, 23A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 23A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 1300pF. Costo): 400pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 150 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 16A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. Rds sulla resistenza attiva: 0.117 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 51 ns. Td(acceso): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.
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