Transistor a canale P, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v - IRF7416

Transistor a canale P, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v - IRF7416. Transistor a canale P, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 25uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 1700pF. Costo): 890pF. Tipo di canale: P. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 45A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Rds sulla resistenza attiva: 0.02 Ohms. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 59 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Vgs(esimo) massimo: 2.04V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.