Transistor a canale P, 8A, SO, SO-8, 30 v - IRF7328

Transistor a canale P, 8A, SO, SO-8, 30 v - IRF7328. Transistor a canale P, 8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8A. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 6.4A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Rds sulla resistenza attiva: 0.017 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di transistor: PNP & PNP. Quantità per scatola: 2. Funzione: Transistor Mosfet a doppio canale P, Resistenza ON RDS ultrabassa. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.