Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.44€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.38€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.31€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.23€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.20€ |
100 - 249 | 0.96€ | 1.17€ |
250 - 262 | 0.91€ | 1.11€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.44€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.38€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.31€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.23€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.20€ |
100 - 249 | 0.96€ | 1.17€ |
250 - 262 | 0.91€ | 1.11€ |
Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -12V, -9.5A - IRF7233PBF. Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), SO8, -12V, -9.5A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -9.5A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: F7233. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 26 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 77 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 6000pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.
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