Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.21€ | 1.48€ |
5 - 9 | 1.15€ | 1.40€ |
10 - 24 | 1.09€ | 1.33€ |
25 - 49 | 1.03€ | 1.26€ |
50 - 99 | 1.00€ | 1.22€ |
100 - 249 | 0.98€ | 1.20€ |
250 - 1449 | 0.93€ | 1.13€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.21€ | 1.48€ |
5 - 9 | 1.15€ | 1.40€ |
10 - 24 | 1.09€ | 1.33€ |
25 - 49 | 1.03€ | 1.26€ |
50 - 99 | 1.00€ | 1.22€ |
100 - 249 | 0.98€ | 1.20€ |
250 - 1449 | 0.93€ | 1.13€ |
Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A - IRF5305STRLPBF. Transistor a canale P, saldatura PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: D²-PAK. Custodia (standard JEDEC): TO-263. Tensione drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: F5305S. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 39 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 1200pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 110W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 04:25.
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