Transistor a canale P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V - FDC642P

Transistor a canale P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V - FDC642P. Transistor a canale P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: TSOP. Custodia (secondo scheda tecnica): SUPERSOT-6. Voltaggio Vds(max): 20V. C(in): 700pF. Costo): 110pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Unità di condizionamento: 3000. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (min): 1uA. Nota: serigrafia/codice SMD 642. Marcatura sulla cassa: 642. Numero di terminali: 6. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.6W. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 120ns. Td(acceso): 6 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Funzione: Interruttore di carico, Protezione della batteria. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 07:25.