Transistor a canale P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84

Transistor a canale P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84. Transistor a canale P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 130mA. Idss (massimo): 46.4k Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 50V. C(in): 25pF. Costo): 15pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 520mA. ID (T=100°C): 75mA. ID (min): 10uA. Marcatura sulla cassa: 11W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Rds sulla resistenza attiva: 6 Ohms. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 11W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 7 ns. Td(acceso): 3 ns. Tecnologia: Transistor D-MOS verticale in modalità potenziamento . Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Prodotto originale del produttore Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 04:25.