Transistor a canale P BSP171P, SOT-223, -60V. Alloggiamento: SOT-223. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ -1.9A. Capacità del gate Ciss [pF]: 460pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 1.8W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -1.9A. Marcatura del produttore: BSP171P. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 276 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:45