Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.38€ | 1.68€ |
5 - 9 | 1.31€ | 1.60€ |
10 - 24 | 1.24€ | 1.51€ |
25 - 49 | 1.17€ | 1.43€ |
50 - 99 | 1.14€ | 1.39€ |
100 - 143 | 1.12€ | 1.37€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.38€ | 1.68€ |
5 - 9 | 1.31€ | 1.60€ |
10 - 24 | 1.24€ | 1.51€ |
25 - 49 | 1.17€ | 1.43€ |
50 - 99 | 1.14€ | 1.39€ |
100 - 143 | 1.12€ | 1.37€ |
Transistor a canale P, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v - AOD403. Transistor a canale P, 85A, 5uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 85A. Idss (massimo): 5uA. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 4360pF. Costo): 1050pF. Tipo di canale: P. Condizionamento: rotolo. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 39.5 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 65A. ID (min): 0.01uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Rds sulla resistenza attiva: 5.1M Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 51 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: "Transistor ad effetto di campo in modalità potenziamento". Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Vgs(esimo) massimo: 3.5V. Vgs(esimo) min.: 1.5V. Numero di terminali: 2. Quantità per scatola: 1. Unità di condizionamento: 2500. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 19/04/2025, 20:25.
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