Transistor a canale N YTAF630, 10A, 10A, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 10A. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Transistor MOSFET N. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08