Transistor a canale N IRFS630A, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=100°C): 4.1A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 500pF. Costo): 95pF. Diodo Trr (min.): 137 ns. Funzione: Advanced Power MOSFET. ID (min): 10uA. Id(imp): 36A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 38W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 02:45