Transistor a canale N YJP70G10A, 100V, 0.0086 Ohms. Tensione drain-source (Vds): 100V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0086 Ohms. Corrente di assorbimento massima: 70A. Potenza: 125W. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 02/01/2026, 16:08