Transistor a canale N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB
Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
1.91€
10-19
1.53€
20-29
1.40€
30-49
1.28€
50-149
1.18€
150+
1.15€
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Transistor a canale N YJP200G06A, 60V, 0.0029 Ohms, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): 60V. Rds sulla resistenza attiva: 0.0029 Ohms. Alloggiamento: TO-220AB. Corrente di assorbimento massima: 200A. Potenza: 260W. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Yangjie Electronic Technology. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 05:18
YJP200G06A
8 parametri
Tensione drain-source (Vds)
60V
Rds sulla resistenza attiva
0.0029 Ohms
Alloggiamento
TO-220AB
Corrente di assorbimento massima
200A
Potenza
260W
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
transistor di potenza MOSFET
Prodotto originale del produttore
Yangjie Electronic Technology