Transistor a canale N TIG056BF-1E, TO-220FP, TO-220F-3FS, 430V. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F-3FS. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 430V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5500pF. Corrente del collettore: 240A. Costo): 100pF. Diodo CE: no. Diodo al germanio: soppressore. Funzione: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Ic(impulso): 240A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. RoHS: sì. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Td(acceso): 46 ns. Td(spento): 140 ns. Tecnologia: Enhancement type. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 3.6V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 2.5V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 5V. Tipo di canale: N. Varie: flash, controllo stroboscopio. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 33V. Prodotto originale del produttore: ON Semiconductor. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08