Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V - STP9NK90Z

Transistor a canale N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V - STP9NK90Z
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Transistor a canale N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V - STP9NK90Z. Transistor a canale N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: P9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: sì. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 13:25.

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STF9NK90Z

STF9NK90Z

Transistor a canale N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25Â...
STF9NK90Z
Transistor a canale N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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Transistor a canale N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Voltaggio Vds(max): 900V. C(in): 2115pF. Costo): 190pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 950 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: circuiti di commutazione. Id(imp): 32A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: F9NK90Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 22 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Numero di terminali: 3. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: sì
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Transistor a canale N, 5A, 8A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-220, TO-220AB, 900V. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°...
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Ritaglio/foratura del pannello: 31x22mm. Durata di vita: 10000 cicli. Modalità di commutazione: 2x ...
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Ritaglio/foratura del pannello: 31x22mm. Durata di vita: 10000 cicli. Modalità di commutazione: 2x ...
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