Transistor a canale N STP75NF75, TO-220, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, 75V

Transistor a canale N STP75NF75, TO-220, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, 75V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.80€
5-24
1.57€
25-49
1.40€
50-99
1.24€
100+
1.04€
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Transistor a canale N STP75NF75, TO-220, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, 75V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0095 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 75V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3700pF. Confezione: tubus. Costo): 730pF. DRUCE CORRENTE: 70A. Diodo Trr (min.): 132 ns. Funzione: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. ID (min): 1uA. Id(imp): 320A. Marcatura sulla cassa: P75NF75. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. Polarità: unipolari. Potenza: 300W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 66 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 75V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58

Documentazione tecnica (PDF)
STP75NF75
38 parametri
Alloggiamento
TO-220
ID (T=100°C)
70A
ID (T=25°C)
80A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.0095 Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio Vds(max)
75V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
3700pF
Confezione
tubus
Costo)
730pF
DRUCE CORRENTE
70A
Diodo Trr (min.)
132 ns
Funzione
DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters
ID (min)
1uA
Id(imp)
320A
Marcatura sulla cassa
P75NF75
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
300W
Polarità
unipolari
Potenza
300W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Drain Current (pulsed) IDM--320Ap
Td(acceso)
25 ns
Td(spento)
66 ns
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
75V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics

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