Transistor a canale N IRF3808, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Transistor a canale N IRF3808, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
3.59€
5-24
3.02€
25-49
2.67€
50-99
2.48€
100+
2.19€
Quantità in magazzino: 134

Transistor a canale N IRF3808, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. ID (T=100°C): 97A. ID (T=25°C): 140A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0059 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 75V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5310pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 890pF. Diodo Trr (min.): 93 ns. Funzione: AUTOMOTIVE MOSFET. ID (min): 20uA. Id(imp): 550A. Marcatura sulla cassa: IRF3808. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 330W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 16 ns. Td(spento): 68 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00

Documentazione tecnica (PDF)
IRF3808
33 parametri
ID (T=100°C)
97A
ID (T=25°C)
140A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
0.0059 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220AB
Voltaggio Vds(max)
75V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
5310pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
890pF
Diodo Trr (min.)
93 ns
Funzione
AUTOMOTIVE MOSFET
ID (min)
20uA
Id(imp)
550A
Marcatura sulla cassa
IRF3808
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
330W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
16 ns
Td(spento)
68 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier