Transistor a canale N STP3NA60, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (massimo): 2.9A. Rds sulla resistenza attiva: 4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Transistor MOSFET N. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Quantità per scatola: 1. Tecnologia: V-MOS. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24