Transistor a canale N STP3NB60, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 400pF. Costo): 57pF. Diodo Trr (min.): 500 ns. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. ID (min): 1uA. Id(imp): 13.2A. Marcatura sulla cassa: P3NB60. Pd (dissipazione di potenza, massima): 80W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 11 ns. Td(spento): 11 ns. Tecnologia: PowerMESH™ MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24