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Transistor a canale N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP11NM60

Transistor a canale N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP11NM60
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 4.16€ 5.08€
5 - 9 3.95€ 4.82€
10 - 24 3.82€ 4.66€
25 - 49 3.74€ 4.56€
50 - 99 3.66€ 4.47€
100+ 3.45€ 4.21€
Qnéuantità U.P
1 - 4 4.16€ 5.08€
5 - 9 3.95€ 4.82€
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Set da 1

Transistor a canale N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP11NM60. Transistor a canale N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.4 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1000pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 50. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 390 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 44A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. RoHS: sì. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 6 ns. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Prodotto originale del produttore Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 23:25.

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