Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 5.95€ | 7.26€ |
2 - 2 | 5.65€ | 6.89€ |
3 - 4 | 5.35€ | 6.53€ |
5 - 9 | 5.05€ | 6.16€ |
10 - 19 | 4.94€ | 6.03€ |
20 - 29 | 4.82€ | 5.88€ |
30 - 36 | 4.64€ | 5.66€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.95€ | 7.26€ |
2 - 2 | 5.65€ | 6.89€ |
3 - 4 | 5.35€ | 6.53€ |
5 - 9 | 5.05€ | 6.16€ |
10 - 19 | 4.94€ | 6.03€ |
20 - 29 | 4.82€ | 5.88€ |
30 - 36 | 4.64€ | 5.66€ |
Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - STGW30NC120HD. Transistor a canale N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 2510pF. Costo): 175pF. Tipo di canale: N. Diodo Trr (min.): 35 ns. Data di produzione: 201509. Corrente del collettore: 60A. Ic(impulso): 135A. Marcatura sulla cassa: GW30NC120HD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 220W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 275 ns. Td(acceso): 29 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.2V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 25V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3.75V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5.75V. Funzione: capacità di corrente elevata, elevata impedenza di ingresso. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Diodo CE: sì. Diodo al germanio: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 20/04/2025, 21:25.
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