Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - SSS7N60A

Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - SSS7N60A. Transistor a canale N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.2 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 1150pF. Costo): 130pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 415 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET N. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 28A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 72 ns. Td(acceso): 18 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Samsung. Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 22:25.