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Infineon Technologies

Transistor a canale N SKW25N120, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V

Riferimento prodotto : SKW25N120
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Descrizione tecnica del prodotto (SKW25N120):

Transistor a canale N SKW25N120, 20A, TO-247, TO-247 ( AC ), 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ). Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1150pF. Condizionamento: tubo di plastica. Corrente del collettore: 46A. Costo): 120pF. Diodo CE: sì. Diodo Trr (min.): 280 ns. Diodo al germanio: -. Funzione: Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery. Ic(impulso): 84A. Marcatura sulla cassa: K25N120. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 313W. RoHS: sì. Spec info: Td(on) 50ns / Td(off) 820ns. Td(acceso): 45 ns. Td(spento): 730 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 3.1V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Tipo di canale: N. Unità di condizionamento: 30. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V