Transistor a canale N, 330A, Altro, Altro, 1200V - SKM400GB126D

Transistor a canale N, 330A, Altro, Altro, 1200V - SKM400GB126D. Transistor a canale N, 330A, Altro, Altro, 1200V. Ic(T=100°C): 330A. Alloggiamento: Altro. Custodia (secondo scheda tecnica): Altro. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 23.1pF. Costo): 1.9pF. Diodo CE: sì. Tipo di canale: N. Funzione: IGBT ad alta potenza. Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 470A. Ic(impulso): 600A. Numero di terminali: 7. Dimensioni: 106.4x61.4x30.5mm. RoHS: sì. Spec info: IFSM--2200Ap (t=10ms). Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 650 ns. Td(acceso): 330 ns. Temperatura di funzionamento: -40...+125°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.7V. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.15V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 5V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6.5V. Prodotto originale del produttore Semikron. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 03:25.