Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.03€ | 2.48€ |
5 - 9 | 1.93€ | 2.35€ |
10 - 24 | 1.83€ | 2.23€ |
25 - 49 | 1.73€ | 2.11€ |
50 - 89 | 1.69€ | 2.06€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.03€ | 2.48€ |
5 - 9 | 1.93€ | 2.35€ |
10 - 24 | 1.83€ | 2.23€ |
25 - 49 | 1.73€ | 2.11€ |
50 - 89 | 1.69€ | 2.06€ |
Transistor a canale N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v - SIR474DP. Transistor a canale N, 12A, 15A, 10uA, 0.0075 Ohms, PowerPAK SO-8, PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ), 30 v. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.0075 Ohms. Alloggiamento: PowerPAK SO-8. Custodia (secondo scheda tecnica): PowerPAK SO8 ( 6.15x5.15x1.07mm ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 985pF. Costo): 205pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo. Diodo Trr (min.): 14 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: "Interruttore lato alto". Id(imp): 50A. ID (min): 1uA. Marcatura sulla cassa: 196k Ohms. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 29.8W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET, (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Quantità per scatola: 1. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 05:25.
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