Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A - SI4532CDY-T1-GE3

Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A - SI4532CDY-T1-GE3. Transistor a canale N, saldatura PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Alloggiamento: saldatura PCB (SMD). Alloggiamento: SO8. Tensione drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Numero di terminali: 8:1. Marcatura del produttore: SI4532CDY-T1-E3. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 305/340pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 1.14W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +150°C. Prodotto originale del produttore Vishay. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 03:25.