Transistor a canale N, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480EY

Transistor a canale N, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V - SI4480EY. Transistor a canale N, 5.2A, 6.2A, 20uA, 0.026 Ohms, SO, SO-8, 80V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 20uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.026 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 80V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Power MOSFET. Id(imp): 40Ap. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 52 ns. Td(acceso): 12.5 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Quantità per scatola: 1. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 05:25.