Transistor a canale N MBQ60T65PES, 650V, 60A, TO-247, TO-247

Descrizione tecnica del prodotto (MBQ60T65PES):

Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 650V. Ic(T=100°C): 60A. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Alloggiamento: TO-247. Diodo al germanio: no. RoHS: sì. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Diodo CE: sì. Numero di terminali: 3. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Tipo di canale: N. Tecnologia: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Td(spento): 142ns. Td(acceso): 45 ns. Tensione di saturazione VCE(sat): 1.85V. Ic(impulso): 180A. Marcatura sulla cassa: 60T65PES. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Pd (dissipazione di potenza, massima): 535W. Condizionamento: tubo di plastica. Tensione massima di saturazione VCE(sat): 2.4V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 4V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Corrente del collettore: 100A. Unità di condizionamento: 30