Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 19.39€ | 23.66€ |
2 - 2 | 18.42€ | 22.47€ |
3 - 4 | 17.45€ | 21.29€ |
5 - 9 | 16.48€ | 20.11€ |
10 - 14 | 16.10€ | 19.64€ |
15 - 19 | 15.71€ | 19.17€ |
20 - 66 | 15.13€ | 18.46€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 19.39€ | 23.66€ |
2 - 2 | 18.42€ | 22.47€ |
3 - 4 | 17.45€ | 21.29€ |
5 - 9 | 16.48€ | 20.11€ |
10 - 14 | 16.10€ | 19.64€ |
15 - 19 | 15.71€ | 19.17€ |
20 - 66 | 15.13€ | 18.46€ |
Transistor a canale N, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V - IXFK44N80P. Transistor a canale N, 44A, 1.5mA, 0.19 Ohms, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264AA, 800V. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 1.5mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.19 Ohms. Alloggiamento: TO-264 ( TOP-3L ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-264AA. Voltaggio Vds(max): 800V. RoHS: sì. C(in): 12pF. Costo): 910pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1200W. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 75 ns. Td(acceso): 28 ns. Tecnologia: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 14:25.
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