Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 20.58€ | 25.11€ |
2 - 2 | 19.55€ | 23.85€ |
3 - 4 | 18.52€ | 22.59€ |
5 - 5 | 17.49€ | 21.34€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 1 | 20.58€ | 25.11€ |
2 - 2 | 19.55€ | 23.85€ |
3 - 4 | 18.52€ | 22.59€ |
5 - 5 | 17.49€ | 21.34€ |
Transistor a canale N, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V - IXFH26N60Q. Transistor a canale N, 26A, 1mA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247AD, 600V. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 1mA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AD. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 4700pF. Costo): 580pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 30. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 250 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 360W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 80 ns. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: HiPerFet Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 14:25.
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