Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.62€ | 0.76€ |
10 - 24 | 0.59€ | 0.72€ |
25 - 49 | 0.55€ | 0.67€ |
50 - 98 | 0.52€ | 0.63€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.62€ | 0.76€ |
10 - 24 | 0.59€ | 0.72€ |
25 - 49 | 0.55€ | 0.67€ |
50 - 98 | 0.52€ | 0.63€ |
Transistor a canale N, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR8726TRPBF. Transistor a canale N, 61A, 86A, 150uA, 4m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 61A. ID (T=25°C): 86A. Idss (massimo): 150uA. Rds sulla resistenza attiva: 4m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 2150pF. Costo): 480pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 24 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. ID (min): 1uA. Equivalenti: IRLR8726PBF, IRLR8726TRLPBF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 75W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 15 ns. Td(acceso): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 2.35V. Vgs(esimo) min.: 1.35V. Spec info: Impedenza di gate ultrabassa. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 14:25.
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