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Transistor a canale N, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRLR3110ZPBF

Transistor a canale N, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRLR3110ZPBF
Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 2.29€ 2.79€
5 - 9 2.18€ 2.66€
10 - 24 2.06€ 2.51€
25 - 49 1.95€ 2.38€
50 - 99 1.90€ 2.32€
100 - 249 1.86€ 2.27€
250 - 2307 1.54€ 1.88€
Qnéuantità U.P
1 - 4 2.29€ 2.79€
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10 - 24 2.06€ 2.51€
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Transistor a canale N, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V - IRLR3110ZPBF. Transistor a canale N, 45A, 42A, 250uA, 0.105 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. ID (T=100°C): 45A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.105 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 3980pF. Costo): 170pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 34-51 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 250A. ID (min): 25uA. Equivalenti: IRLR3110ZPbF. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: ±16. Vgs(esimo) massimo: 2.5V. Vgs(esimo) min.: 1V. Spec info: Ultra Low On-Resistance. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 18:25.

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