Transistor a canale N IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor a canale N IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.81€
5-49
1.53€
50-99
1.35€
100-199
1.21€
200+
1.04€
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Transistor a canale N IRLR2905Z, D-PAK ( TO-252 ), 43A, 42A, 250uA, 11m Ohms, TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). ID (T=100°C): 43A. ID (T=25°C): 42A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 11m Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1570pF. Carica: 23nC. Costo): 230pF. DRUCE CORRENTE: 60A. Diodo Trr (min.): 22ms. Equivalenti: IRLR2905ZTRPBF. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (min): 20uA. Id(imp): 240A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Polarità: unipolari. Potenza: 110W. Proprietà del semiconduttore: Livello logico. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 24 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: ±16V. Tensione drain-source: 55V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRLR2905Z
39 parametri
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
ID (T=100°C)
43A
ID (T=25°C)
42A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
11m Ohms
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1570pF
Carica
23nC
Costo)
230pF
DRUCE CORRENTE
60A
Diodo Trr (min.)
22ms
Equivalenti
IRLR2905ZTRPBF
Funzione
controllo del cancello tramite livello logico
ID (min)
20uA
Id(imp)
240A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
110W
Polarità
unipolari
Potenza
110W
Proprietà del semiconduttore
Livello logico
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(acceso)
14 ns
Td(spento)
24 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di gate-source
±16V
Tensione drain-source
55V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
16V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier

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