Transistor a canale N IRLR3705ZPBF, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Transistor a canale N IRLR3705ZPBF, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.72€
5-24
1.50€
25-74
1.31€
75-149
1.19€
150+
1.03€
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Transistor a canale N IRLR3705ZPBF, 63A, 89A, 250uA, 6.5m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 6.5m Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2900pF. Costo): 420pF. Diodo Trr (min.): 21ms. Funzione: controllo del cancello tramite livello logico. ID (min): 20uA. Id(imp): 360A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 130W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:38

Documentazione tecnica (PDF)
IRLR3705ZPBF
31 parametri
ID (T=100°C)
63A
ID (T=25°C)
89A
Idss (massimo)
250uA
Rds sulla resistenza attiva
6.5m Ohms
Alloggiamento
D-PAK ( TO-252 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 )
Voltaggio Vds(max)
55V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
2900pF
Costo)
420pF
Diodo Trr (min.)
21ms
Funzione
controllo del cancello tramite livello logico
ID (min)
20uA
Id(imp)
360A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
130W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
AUTOMOTIVE MOSFET
Td(acceso)
17 ns
Td(spento)
33 ns
Tecnologia
HEXFET Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
3V
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
16V
Prodotto originale del produttore
International Rectifier