Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.01€ | 1.23€ |
5 - 9 | 0.96€ | 1.17€ |
10 - 16 | 0.91€ | 1.11€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 4 | 1.01€ | 1.23€ |
5 - 9 | 0.96€ | 1.17€ |
10 - 16 | 0.91€ | 1.11€ |
Transistor a canale N, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRLR2705. Transistor a canale N, 20A, 28A, 250uA, 0.04 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 28A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 880pF. Costo): 220pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 75. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 76 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 21 ns. Td(acceso): 8.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Azionamento del gate a livello logico, commutazione rapida. Spec info: bassa resistenza R-on 0,040 Ohm. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 18:25.
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