Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
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1 - 9 | 0.35€ | 0.43€ |
10 - 24 | 0.33€ | 0.40€ |
25 - 45 | 0.31€ | 0.38€ |
Qnéuantità | U.P | |
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1 - 9 | 0.35€ | 0.43€ |
10 - 24 | 0.33€ | 0.40€ |
25 - 45 | 0.31€ | 0.38€ |
Transistor a canale N, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v - IRLML2803. Transistor a canale N, 0.93A, 1.2A, 25uA, 0.025 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. ID (T=100°C): 0.93A. ID (T=25°C): 1.2A. Idss (massimo): 25uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.025 Ohms. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 85pF. Costo): 34pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 26 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Ultra Low On-Resistance. Id(imp): 7.3A. ID (min): 1uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 540mW. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 9 ns. Td(acceso): 3.9 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 18:25.
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