Transistor a canale N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V - IRLD024

Transistor a canale N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V - IRLD024. Transistor a canale N, 1.8A, 2.5A, 250uA, 0.10 Ohms, DIP, HVMDIP ( DIP-4 ), 60V. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: DIP. Custodia (secondo scheda tecnica): HVMDIP ( DIP-4 ). Voltaggio Vds(max): 60V. C(in): 870pF. Costo): 360pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 110 ns. Varie: Dynamic dv/dt Rating. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 1.3W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 10V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Funzione: Commutazione rapida, gate drive a livello logico. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 18:25.