Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRL530N

Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V - IRL530N. Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 800pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 140 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 7.2 ns. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Tecnologia: HEXFET Transistor MOSFET di potenza, controllato a livello logico. Spec info: controllo del cancello tramite livello logico. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 22:25.