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Transistor a canale N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v - IRL2203N

Transistor a canale N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v - IRL2203N
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Qnéuantità Iva esclusa IVA incl.
1 - 4 1.96€ 2.39€
5 - 9 1.86€ 2.27€
10 - 24 1.76€ 2.15€
25 - 49 1.67€ 2.04€
50 - 54 1.63€ 1.99€
Qnéuantità U.P
1 - 4 1.96€ 2.39€
5 - 9 1.86€ 2.27€
10 - 24 1.76€ 2.15€
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Transistor a canale N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v - IRL2203N. Transistor a canale N, 60A, 116A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.07 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 30 v. C(in): 3290pF. Costo): 1270pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 180W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 23 ns. Td(acceso): 11 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Vgs(esimo) min.: 1V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 22:25.

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