Transistor a canale N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50K

Transistor a canale N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V - IRG4PH50K. Transistor a canale N, 24A, TO-247, TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT, 1200V. Ic(T=100°C): 24A. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Voltaggio collettore/emettitore Vceo: 1200V. C(in): 2800pF. Costo): 140pF. Diodo CE: NINCS. Tipo di canale: N. Funzione: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diodo al germanio: NINCS. Corrente del collettore: 45A. Ic(impulso): 90A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 200W. RoHS: sì. Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 200 ns. Td(acceso): 36ns. Temperatura di funzionamento: -40...+150°C. Tensione di saturazione VCE(sat): 2.77V. Voltaggio gate/emettitore VGE: 20V. Tensione gate/emettitore VGE(th) min.: 3V. Voltaggio gate/emettitore VGE(th)max.: 6V. Prodotto originale del produttore International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 08/06/2025, 22:25.