Componenti e apparecchiature elettroniche, per aziende e privati
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Transistor a canale N, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V - IRFU420

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Transistor a canale N, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V - IRFU420. Transistor a canale N, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. ID (T=100°C): 1.4A. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 500V. C(in): 360pF. Costo): 92pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 8 ns. Td(acceso): 33 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza di terza generazione. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Vishay. Quantità in stock aggiornata il 01/08/2025, 10:25.

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IRFR420

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Transistor a canale N, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. ID (T=100°C): 1.5A...
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Transistor a canale N, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 500V. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 8A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
IRFR420
Transistor a canale N, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. ID (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2.4A. Ids: 0.025mA. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 500V. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 8A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V
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