Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.23€ | 1.50€ |
5 - 9 | 1.17€ | 1.43€ |
10 - 24 | 1.11€ | 1.35€ |
25 - 49 | 1.05€ | 1.28€ |
50 - 99 | 1.02€ | 1.24€ |
100 - 107 | 0.92€ | 1.12€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.23€ | 1.50€ |
5 - 9 | 1.17€ | 1.43€ |
10 - 24 | 1.11€ | 1.35€ |
25 - 49 | 1.05€ | 1.28€ |
50 - 99 | 1.02€ | 1.24€ |
100 - 107 | 0.92€ | 1.12€ |
Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V - IRFU024N. Transistor a canale N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: TO-251 ( I-Pak ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-251AA ( I-PAK ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 370pF. Costo): 140pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 56 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 4.7 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Quantità in stock aggiornata il 23/04/2025, 01:25.
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