Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.24€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.18€ |
10 - 24 | 0.92€ | 1.12€ |
25 - 49 | 0.87€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.85€ | 1.04€ |
100 - 107 | 0.74€ | 0.90€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.24€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.18€ |
10 - 24 | 0.92€ | 1.12€ |
25 - 49 | 0.87€ | 1.06€ |
50 - 99 | 0.85€ | 1.04€ |
100 - 107 | 0.74€ | 0.90€ |
Transistor a canale N, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR3910. Transistor a canale N, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.115 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D-PAK TO-252AA. Voltaggio Vds(max): 100V. C(in): 640pF. Costo): 160pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 130 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60A. ID (min): 25uA. Pd (dissipazione di potenza, massima): 79W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 37 ns. Td(acceso): 6.4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 20:25.
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