Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.51€ | 1.84€ |
5 - 9 | 1.44€ | 1.76€ |
10 - 24 | 1.36€ | 1.66€ |
25 - 42 | 1.29€ | 1.57€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.51€ | 1.84€ |
5 - 9 | 1.44€ | 1.76€ |
10 - 24 | 1.36€ | 1.66€ |
25 - 42 | 1.29€ | 1.57€ |
Transistor a canale N, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR3505. Transistor a canale N, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 49A. ID (T=25°C): 71A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.011 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 2030pF. Costo): 470pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 70 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 280A. ID (min): 20uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 140W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 20:25.
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