Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.04€ | 1.27€ |
5 - 9 | 0.99€ | 1.21€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.15€ |
25 - 49 | 0.89€ | 1.09€ |
50 - 99 | 0.87€ | 1.06€ |
100 - 102 | 0.85€ | 1.04€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.04€ | 1.27€ |
5 - 9 | 0.99€ | 1.21€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.15€ |
25 - 49 | 0.89€ | 1.09€ |
50 - 99 | 0.87€ | 1.06€ |
100 - 102 | 0.85€ | 1.04€ |
Transistor a canale N, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V - IRFR1205. Transistor a canale N, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. ID (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.027 Ohms. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 1300pF. Costo): 410pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 65 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Id(imp): 160A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 107W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 47 ns. Td(acceso): 7.3 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+155°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) min.: 2V. Funzione: Resistenza allo stato di conduzione ultra bassa, commutazione rapida. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 20:25.
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