Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 5.79€ | 7.06€ |
2 - 2 | 5.50€ | 6.71€ |
3 - 4 | 5.21€ | 6.36€ |
5 - 9 | 4.92€ | 6.00€ |
10 - 19 | 4.80€ | 5.86€ |
20 - 29 | 5.52€ | 6.73€ |
30 - 60 | 6.39€ | 7.80€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 5.79€ | 7.06€ |
2 - 2 | 5.50€ | 6.71€ |
3 - 4 | 5.21€ | 6.36€ |
5 - 9 | 4.92€ | 6.00€ |
10 - 19 | 4.80€ | 5.86€ |
20 - 29 | 5.52€ | 6.73€ |
30 - 60 | 6.39€ | 7.80€ |
Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 200V, 94A, 580W - IRFP90N20DPBF. Transistor a canale N, saldatura PCB, TO-247AC, 200V, 94A, 580W. Alloggiamento: saldatura PCB. Alloggiamento: TO-247AC. Tensione drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Custodia (standard JEDEC): 580W. RoHS: sì. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Numero di terminali: 3. Marcatura del produttore: IRFP90N20DPBF. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 5V. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 43 ns. Capacità del gate Ciss [pF]: 640pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 580W. Campo di temperatura di funzionamento min (°C): -55°C. Range di temperatura di funzionamento max (°C): +175°C. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 20:25.
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