Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 1 | 9.15€ | 11.16€ |
2 - 2 | 8.69€ | 10.60€ |
3 - 4 | 8.23€ | 10.04€ |
5 - 9 | 7.78€ | 9.49€ |
10 - 19 | 7.59€ | 9.26€ |
20 - 20 | 7.41€ | 9.04€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 9.15€ | 11.16€ |
2 - 2 | 8.69€ | 10.60€ |
3 - 4 | 8.23€ | 10.04€ |
5 - 9 | 7.78€ | 9.49€ |
10 - 19 | 7.59€ | 9.26€ |
20 - 20 | 7.41€ | 9.04€ |
Transistor a canale N, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V - IRFP27N60KPBF. Transistor a canale N, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.18 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 600V. C(in): 4660pF. Costo): 460pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 620 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. ID (min): 50uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 500W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 43 ns. Td(acceso): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 15:25.
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