Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 4.61€ | 5.62€ |
5 - 9 | 4.38€ | 5.34€ |
10 - 24 | 4.15€ | 5.06€ |
25 - 49 | 3.92€ | 4.78€ |
50 - 87 | 3.83€ | 4.67€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 4.61€ | 5.62€ |
5 - 9 | 4.38€ | 5.34€ |
10 - 24 | 4.15€ | 5.06€ |
25 - 49 | 3.92€ | 4.78€ |
50 - 87 | 3.83€ | 4.67€ |
Transistor a canale N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V - IRFP260N. Transistor a canale N, 35A, 50A, 250uA, 0.04 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.04 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 4057pF. Costo): 603pF. Tipo di canale: N. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 268 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: rapporto dv/dt dinamico, commutazione rapida. Id(imp): 200A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 300W. RoHS: sì. Peso: 5.57g. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 55 ns. Td(acceso): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione drain-source: sì. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 15:25.
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