Qnéuantità | Iva esclusa | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.73€ | 4.55€ |
5 - 9 | 3.55€ | 4.33€ |
10 - 24 | 3.36€ | 4.10€ |
25 - 49 | 3.17€ | 3.87€ |
50 - 99 | 3.10€ | 3.78€ |
100 - 143 | 2.87€ | 3.50€ |
Qnéuantità | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.73€ | 4.55€ |
5 - 9 | 3.55€ | 4.33€ |
10 - 24 | 3.36€ | 4.10€ |
25 - 49 | 3.17€ | 3.87€ |
50 - 99 | 3.10€ | 3.78€ |
100 - 143 | 2.87€ | 3.50€ |
Transistor a canale N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V - IRFP250N. Transistor a canale N, 21A, 30A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.075 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247AC. Voltaggio Vds(max): 200V. C(in): 2159pF. Costo): 315pF. Tipo di canale: N. Condizionamento: tubo di plastica. Unità di condizionamento: 25. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 186 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 214W. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 41 ns. Td(acceso): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 15:25.
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