Transistor a canale N, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V - IRFL4105PBF

Transistor a canale N, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V - IRFL4105PBF. Transistor a canale N, 3A, 5.2A, 250uA, 0.045 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 55V. ID (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (massimo): 250uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.045 Ohms. Alloggiamento: SOT-223 ( TO-226 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-223. Voltaggio Vds(max): 55V. RoHS: sì. C(in): 660pF. Costo): 230pF. Tipo di canale: N. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 55 ns. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: commutazione ad alta velocità. Id(imp): 30A. ID (min): 25uA. IGF: 660pF. Numero di terminali: 4. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.1W. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Td(spento): 19 ns. Td(acceso): 7.1 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Protezione GS: NINCS. Quantità in stock aggiornata il 22/04/2025, 11:25.